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Module diode IXFN120N20 et transistor de puissance mosfet

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Composant Semi-conducteur pour Commutation Haute Performance

Ce boîtier regroupe des éléments actifs destinés au contrôle des courants de forte intensité. Sa configuration en fait une pièce maîtresse pour l'architecture des convertisseurs d'énergie modernes.

Données de structure

  • Boîtier de type SOT pour une isolation de haut niveau.
  • Borniers métalliques pour une conductibilité sans pertes.
  • Base plane métallique pour un contact thermique optimal.

Confort d'utilisation et sécurité

L'utilisation de ce module élimine le besoin d'isoler manuellement le composant du dissipateur principal. Cette séparation électrique interne protège l'opérateur et le matériel contre les fuites de courant accidentelles vers la masse du châssis métallique.

Longévité accrue

La robustesse des matériaux utilisés permet d'affronter des variations de température extrêmes sans fissure du silicium, garantissant ainsi un service continu durant de nombreuses années au sein de votre entreprise ou atelier.

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